专利择要显示，本公开供应了一种晶圆调修方法方法、装置、设备及介质，涉及半导系统编制造技能领域。该方法包括：获取待调修晶圆上多个晶粒的晶粒数据，个中，各晶粒的晶粒数据包括该晶粒的待调修性能参数和该晶粒的实际调修需求标识；针对每一晶粒，实行如下步骤：在多套调修策略中，选择与该晶粒的实际调修需求标识对应的一套调修策略，个中，一套调修策略对应一个第一对应关系，各第一对应关系为性能参数与调修标识之间的对应关系；根据所选择的一套调修策略对应的第一对应关系，确定与该晶粒的待调修性能参数对应的目标调修标识，以实行目标调修标识对应的调修方案对该晶粒的待调修性能参数进行调修。根据本公开履行例，能够提高芯片的制造良率。
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